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口頭

長崎原爆により放出されたプルトニウムの蓄積分布

國分 陽子; 安田 健一郎; 間柄 正明; 宮本 ユタカ; 桜井 聡; 臼田 重和; 吉川 周作*; 山崎 秀夫*

no journal, , 

長崎市上空で爆発したプルトニウム型原爆は、長崎周辺に大量の核分裂生成物と未分裂のPuを飛散させた。爆心地から東3kmにある西山貯水池周辺に高濃度の$$^{239+240}$$Puが蓄積していることが知られているが、長崎市内、さらに長崎市より東の広範囲にわたる分布は検討されていない。本研究では長崎市内をはじめ、長崎県東部,熊本県,佐賀県,福岡県,大分県から土壌を採取し、放出起源の情報を得ることができるPu同位体比に注目し、原爆により放出されたPuの平面的な分布について検討を行った。長崎市内では、爆心地より北,西,南の地域で採取した土壌中の$$^{240}$$Pu/$$^{239}$$Pu比は、グローバルフォールアウトの値と同等で、この地域に蓄積するPuは1960年代前後の核実験に由来するものであった。一方、東の西山地区を中心とする地域では、$$^{240}$$Pu/$$^{239}$$Pu比は、グローバルフォールアウトの値より低く、原爆による影響が見られた。また、長崎市より東の地域では、島原半島にある雲仙市,島原市、さらに熊本県荒尾市の土壌から低い$$^{240}$$Pu/$$^{239}$$Pu比が検出された。よって、原爆により放出されたPuは、長崎県内だけでなく、熊本県まで運ばれ蓄積したことがわかった。

口頭

分子振動を利用した光分解反応制御

赤木 浩; 深澤 裕; 横山 啓一; 横山 淳

no journal, , 

化学反応制御の一つである選択的な化学結合切断を、高振動励起状態からの紫外光分解を利用して実現することを目指す。本研究では、重水素置換した水(HOD)及びアンモニア分子(NH$$_{2}$$D及びNHD$$_{2}$$)に対し、高振動励起状態からの紫外光分解を行い、光分解の分岐比を測定した。水分子HODのOD伸縮振動状態(5$$nu$$$$_{OD}$$)の紫外光分解では、D原子の生成は確認されたが、H原子は検出されなかった。一方、アンモニア分子(NH$$_{2}$$D及びNHD$$_{2}$$)においても、伸縮振動を励起することで、NH結合/ND結合切断の分岐比が大きく変化することがわかった。これらの結果は、振動励起を利用することにより、光分解反応の分岐比を制御することが可能であることを示している。

口頭

保障措置環境試料パーティクル分析のためのFT-TIMS法の開発

井口 一成; Lee, C. G.; 伊奈川 潤; 鈴木 大輔; 江坂 文孝; 江坂 木の実; 福山 裕康; 小野寺 貴史; 間柄 正明; 渡部 和男; et al.

no journal, , 

保障措置環境試料のパーティクル分析技術について、サブミクロン粒子の検出をもできるFT-TIMS法の開発を進めてきた。本研究では、検出器のみをエッチングし、粒子層と重ね合わせてFTを観察することにより粒子を検出する二層式FT試料について、従来の方法では粒子の正確な位置の特定が難しいという欠点を克服し、より簡便な粒子検出法の開発を進めた。まず、U$$_{3}$$O$$_{8}$$同位体標準の粒子含有フィルム試料(粒子層)を作製した。粒子層の上にポリカーボネート検出器を重ね合わせ、さらにエッチング前後の検出器と粒子層のずれを防ぐために、一端をカプトンテープで固定した。治具を用いて両層を密着させ、JRR-4で熱中性子(中性子束:8$$times$$10$$^{14}$$cm$$^{-2}$$)を照射した後、NaOH溶液でエッチングを行い、FTを明瞭化した。この際、検出器のみがエッチングされるように石英製セルを用いた。その後、再び両層を重ね合わせ、デジタル顕微鏡によりFTを観察することでウラン粒子を検出した。TIMSにより同位体比測定を行い、天然ウラン粒子の場合、$$^{235}$$ U/$$^{238}$$ Uが精度1.5%以内で得られた。これにより、保障措置環境試料のパーティクル分析の効率化が期待できる。

口頭

Si基板上に作製した鉄シリサイド薄膜の発光特性の向上について

山口 憲司; Zhuravlev, A.; 志村 憲一郎; 山本 博之; 社本 真一; 北條 喜一

no journal, , 

$$beta$$-FeSi$$_2$$は、地上に豊富に存在する元素から構成され、毒性も低いうえに、光通信で用いられる1.5$$mu$$m帯で発光することから、光配線用の新半導体材料としての期待が大きい。ナノ材料創製研究グループでは、イオンビームスパッタ蒸着法によりSi単結晶基板上に鉄シリサイド薄膜を作製し、その発光特性を重点的に調べている。今回、Ar気流中、大気中と雰囲気を変えて1153Kでアニールを行ったところ、Ar,大気の順に発光強度が増加することが確認できた。さらに、アニール時間を増やすと24時間以上でほぼ強度は飽和値に達することもわかった。Arと大気の違いの一つに酸素(O$$_2$$)分圧の違いが挙げられ、この酸素がシリサイド層あるいはSi基板、もしくはその両方に作用して発光特性に影響していると考えられる。

口頭

発光分光法によるガス中レーザーアブレーションにおける素反応過程の研究

佐伯 盛久; 大場 弘則; 横山 淳

no journal, , 

ベンゼン蒸気中でシリコンのレーザーアブレーションを行い、ベンゼン分子とアブレーション生成物であるシリコン原子・イオンとの反応過程を調べた。その結果、ベンゼンが分解してできたC2やCHラジカルからの発光は観測されたが、ベンゼンの最低励起状態からの発光は観測されなかった。このことは、アブレーション生成物との衝突によりベンゼン分子はより高いエネルギー状態に選択的に励起され、効率的に分解されていることを示唆している。さらに、ベンゼンの分解過程について情報を得るためにC2ラジカルとシリコン原子・イオンからの発光の時間変化を比較することにより、C2ラジカルの生成にはシリコン原子が関与していることを明らかにした。ベンゼンの光解離過程に基づき分解過程を考察した結果、ベンゼン分子とアブレーション生成物との衝突によりアセチレンが生成し、アセチレンとシリコン原子が衝突することによりC2ラジカルが生成していると結論した。

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